机构

• 高能物理研究所 [2]
• 中国科学院大学 [2]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2018 [1]
• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Characterization of helium-vacancy complexes in he-ions implanted fe9cr by using positron annihilation spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of nuclear materials, 2018, 卷号: 505, 页码: 69-72 作者:  Zhu, Te;  Jin, Shuoxue;  Zhang, Peng;  Song, Ligang;  Lian, Xiangyu 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2019/04/23 Helium-vacancy complexes  Alloy  Bubble nucleation  Positron annihilation technique   Bias effects on the growth of helium-containing titanium films 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 4 作者:  Zhang Li-Ran;  Deng Ai-Hong;  Yang Dong-Xu;  Zhou Yu-Lu;  Hou Qing 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/23 Optical properties revealing annealing behavior of high-temperature he-implantation induced defects in silicon carbide 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3302-3308 作者:  Zhang Hong-Hua;  Zhang Chong-Hong;  Li Bing-Sheng;  Zhou Li-Hong;  Yang Yi-Tao 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/10 6h-sic  Ion-implantation  Raman spectrum  Photoluminescence spectrum   Structural properties of ne implanted gan 期刊论文  iSwitch采集 Physica scripta, 2008, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 4 作者:  Majid, A.;  Ali, A.;  Zhu, J. J.;  Liu, W.;  Lu, G. J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Vold-free low-temperature silicon direct-bonding technique using plasma activation 期刊论文  iSwitch采集 Journal of vacuum science & technology b, 2007, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 229-234 作者:  Ma, Xiaobo;  Liu, Weili;  Song, Zhitang;  Li, Wei;  Lin, Chenglu 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/10