机构

• 半导体研究所 [14]

采集方式

• OAI收割 [14]

内容类型

• 期刊论文 [12]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2011 [2]
• 2006 [2]
• 2004 [2]
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• 2002 [2]
• 2001 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [14]

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A high-power tapered and cascaded active multimode interferometer semiconductor laser diode 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 54007 Lai, Weijiang; Cheng, Yuanbing; Yao, Chen; Zhou, Daibing; Bian, Jing; Zhao, Lingjuan; Wu, Jian 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/06/14 Diodes  High power lasers  Interferometers  Power electronics  Semiconductor diodes   Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 1, 页码: article no.16108, Article no.16108 作者:  Wang B;  Li ZC;  Yao R;  Liang M;  Yan FW   |  收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE  Gan-based  Led  Al Composition  Electron Blocking Layer  Temperature  Alloys  Movpe   Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Mg memory effect  redistribution  AlGaN/GaN HBTs  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  FABRICATION   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文  OAI收割 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 会议论文  OAI收割 13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：92/22  |  提交时间：2010/03/29 DOTS   High-performance quantum-dot superluminescent diodes 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 27-29 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：68/29  |  提交时间：2010/03/09 crystal growth   Narrow-beam divergence 1.55μm laser diodes with integrated self-aligned spotsize conVerter 期刊论文  OAI收割 Chinese Optics Letters, 2003, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 18-20 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE   Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522 Wei X; Wang GH; Zhang GZ; Zhu XP; Ma XY; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：81/2  |  提交时间：2010/08/12 high resolution X-ray diffraction  precursor  metalorganic chemical vapor depositions  gallium compounds  LASER-DIODES  SOLAR-CELLS  BAND-GAP  GAINNAS  DIMETHYLHYDRAZINE  GROWTH  PYROLYSIS  EPITAXY   Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 Gao F; Huang DD; Li JP; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：149/5  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices  POWER