机构

• 半导体研究所 [13]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 2006 [3]
• 2005 [3]
• 2004 [2]
• 2003 [2]
• 2001 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [13]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文  OAI收割 rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide  infrared transition  diffraction effect  dual ion beam sputtering  annealing   Nanoinstabilities as revealed by shrinkage of nanocavities in silicon during irradiation 期刊论文  OAI收割 international journal of nanotechnology, 2006, 卷号: 3, 期号: 4 sp.iss.si, 页码: 492-516 Zhu, XF (Zhu, Xianfang); Wang, ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/29 nanocavity  nanoparticle  nanoinstabilities  open volume defect  thermodynamic nonequilibrium  nanosize  nanotime  energetic beam irradiation  amorphous structure  nanocurvature  surface energy  WALLED CARBON NANOTUBES  AMORPHOUS-SILICON  ION IRRADIATION  PREFERENTIAL AMORPHIZATION  IN-SITU  INSTABILITY  BEAM  IMPLANTATION  CAVITIES  POINT   ZnO thin films on Si(111) grown by pulsed laser deposition from metallic Zn target 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 841-845 Zhao J (Zhao Jie); Hu LZ (Hu Lizhong); Wang ZY (Wang Zhaoyang); Sun J (Sun Jie); Wang ZJ (Wang Zhijun) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 ZnO  pulsed laser deposition  oxygen pressure  annealing  X-ray diffraction  photoluminescence  ULTRAVIOLET EMISSION  ROOM-TEMPERATURE  ZINC-OXIDE   Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427 Shi LW (Shi Liwei); Wang Q (Wang Qiang); Li YG (Li Yuguo); Xue CS (Xue Chengshan); Zhuang HZ (Zhuang Huizhao) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/04/11 ion implantation  annealing  chemical etching  photoluminescence  POROUS SILICON  LUMINESCENCE   Nanocavity shrinkage and preferential amorphization during irradiation in silicon 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 657-660 Zhu XF; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/03/17 AMORPHOUS-SILICON   Effects of crystalline quality on the phase stability of cubic boron nitride thin films under medium-energy ion irradiation 期刊论文  OAI收割 diamond and related materials, 2005, 卷号: 14, 期号: 9, 页码: 1482-1488 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：52/14  |  提交时间：2010/03/17 cubic boron nitride   Evidence of ultrafast energy exchange-induced soft'mode of phonons and lattice instability: a nanotime effect 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 737-740 Zhu XF; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/03/17 ION IRRADIATION   Silicon-on-insulating multi-layers for total-dose irradiation hardness 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1600-1603 Zhang EX; Yi WB; Liu XH; Chen M; Liu ZL; Xi W 收藏  |  浏览/下载：379/54  |  提交时间：2010/03/09 IMPLANTATION   Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 571-573 Yi WB; Zhang EX; Chen M; Li N; Zhang GQ; Liu ZL; Wang X 收藏  |  浏览/下载：179/57  |  提交时间：2010/03/09 LAYERS   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 Dong HW; Zhao YW; Li JM 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE