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浏览/检索结果: 共53条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates 专利  OAI收割 专利号: US10243105, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26 作者:  MATIAS, VLADIMIR   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/24 Emitter structures for ultra-small vertical cavity surface emitting lasers (vcsels) and arrays incorporating the same 专利  OAI收割 专利号: US20180301865A1, 申请日期: 2018-10-18, 公开日期: 2018-10-18 作者:  BURROUGHS, SCOTT;  FISHER, BRENT;  CARTER, JAMES   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30 Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates 专利  OAI收割 专利号: EP2329536B1, 申请日期: 2018-08-15, 公开日期: 2018-08-15 作者:  MCLAURIN, MELVIN B.;  KRAMES, MICHAEL R.   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures 专利  OAI收割 专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15 作者:  SHARMA, TARUN KUMAR;  TOWE, ELIAS   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 Laser diode with high indium active layer and lattice matched cladding layer 专利  OAI收割 专利号: US8000366, 申请日期: 2011-08-16, 公开日期: 2011-08-16 作者:  BOUR, DAVID P.;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  JOHNSON, NOBLE M.;  YANG, ZHIHONG   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods 专利  OAI收割 专利号: US20110064105A1, 申请日期: 2011-03-17, 公开日期: 2011-03-17 作者:  SAXLER, ADAM WILLIAM   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/30 VCSEL with monolithically integrated Fresnel lens 专利  OAI收割 专利号: EP2101379A1, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16 作者:  MICHLER, PETER, PROF. DR.;  JETTER, MICHAEL, DR.;  ROSSBACH, ROBERT, DR.   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 Tuneable unipolar lasers 专利  OAI收割 专利号: US20080137704A1, 申请日期: 2008-06-12, 公开日期: 2008-06-12 作者:  FISCHER, MARC OLIVER;  FORCHEL, ALFRED   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser array with a lattice structure 专利  OAI收割 专利号: US20050129084A1, 申请日期: 2005-06-16, 公开日期: 2005-06-16 作者:  KAMP, MARTIN;  MULLER, MARTIN   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Long wavelength pseudomorphic InGaNPAsSb type-I and type-II active layers for the gaas material system 专利  OAI收割 专利号: US6859474, 申请日期: 2005-02-22, 公开日期: 2005-02-22 作者:  JOHNSON, SHANE;  DOWD, PHILIP;  BRAUN, WOLFGANG;  ZHANG, YONG-HANG;  GUO, CHANG-ZHI   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26