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• 半导体研究所 [12]

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• 会议论文 [1]

发表日期

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学科主题

• 半导体物理 [12]
• 光电子学 [1]
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• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method 会议论文  OAI收割 solid state lighting (sslchina), 2015 12th china international forum, 中国深圳, 2015 Yingdong Tian; Yun Zhang; Jianchang Yan; Xiang Chen; Yanan Guo; Xuecheng Wei; Junxi Wang; Jinmin Li 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2016/06/02 Single-photon interference based on a single InAs quantum dot 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 3, 页码: article no.37809, Article no.37809 作者:  Li YA;  Dou XM;  Chang XY;  Ni HQ;  Niu ZC   |  收藏  |  浏览/下载：56/4  |  提交时间：2011/07/05 single quantum dot  antibunching effect  Mach-Zehnder interferometer  LIGHT  RESONANCE  Single Quantum Dot  Antibunching Effect  Mach-zehnder Interferometer  Light  Resonance   EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR 期刊论文  OAI收割 modern physics letters b, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887 Zhang B; Chen J; Wang X; Wu AM; Luo JX; Wang X; Zhang MA; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 GaN  epitaxial lateral overgrowth   Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Structure and magnetic characteristics of nonpolar a-plane GaN : Mn films 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165004 Sun, LL; Yan, FW; Gao, HY; Zhang, HX; Zeng, YP; Wang, GH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  SAPPHIRE  PROPERTY   Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1 Wei, TB; Duan, RF; Wang, JX; Li, JM; Huo, ZQ; Yang, JK; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 HVPE  GaN  sapphire  nonpolar  semipolar   Synthesis and characterization of ZnO nanoflowers grown on AIN films by solution deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 640-643 Gao, HY; Yan, FW; Zhang, Y; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：51/4  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NANORODS  MECHANISM  NANOWIRES   Improved light extraction of GaN-based LEDs with nano-roughened p-GaN surfaces 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3448-3451 Gao, HY; Yan, FW; Fan, ZC; Li, JM; Zeng, YP; Wang, GH 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/08 EMITTING-DIODES  EFFICIENCY  OUTPUT   Photon localization and lasing in disordered GaNxAs1-x optical superlattices 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 19, 页码: art.no.195112 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 RANDOM LASER  SCATTERING  MEDIA  LIGHT  ABSORPTION  CAVITIES  GAIN   Full-color emission from In2S3 and ln(2)S(3): Eu3+ nanoparticles 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry b, 2004, 卷号: 108, 期号: 32, 页码: 11927-11934 Chen W; Bovin JO; Joly AG; Wang SP; Su FH; Li GH 收藏  |  浏览/下载：143/41  |  提交时间：2010/03/09 CUINS2 THIN-FILMS