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氧化镓薄膜材料的MOCVD外延
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:
张亚宝
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提交时间:2022/07/15
6英寸Si基GaN材料MOCVD外延生长研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
徐健凯
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2021/06/22
AlGaNGaN异质结构的MOCVD同质外延生长研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
储佳焰
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2021/06/22
LED行业含镓固体废弃物资源化的基础研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院大学, 2019
作者:
方升
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提交时间:2020/06/17
发光二极管,Mocvd废料,金属可回收性,选择性回收
AlN材料中缺陷调控及物性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
贲建伟
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提交时间:2020/08/24
AlN
表面/界面
MOCVD
高温热处理
折射率
AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
蒋科
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2020/08/24
AlN
AlGaN
类同质外延
日盲紫外探测器
感应加热式MOCVD设备的模拟仿真与研制
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
梅书哲
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提交时间:2018/06/11
Mocvd
感应加热
温度均匀性
流场温场
建模仿真
高温工作795nm垂直腔面发射激光器研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018
作者:
赵勇明
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提交时间:2019/03/28
芯片原子钟,垂直腔面发射激光器,InAlGaAs,AlGaAs,量子阱,MOCVD
V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
付英昊
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提交时间:2019/09/23
氮化镓
金属有机物气相沉积
V形坑缺陷
背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
韩五月
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/09/23
光电探测器
日盲紫外
AlGaN材料
金属有机化学气相沉积
金属-绝缘层-半导体结构