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• 西安光学精密机械... [113]

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• OAI收割 [113]

内容类型

• 专利 [98]
• 期刊论文 [15]

发表日期

• 2008 [3]
• 2005 [5]
• 2001 [3]
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• 1996 [3]
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学科主题

• 数理科学和化学 [3]
• Physics, M... [1]
• 物理学 [1]
• 物理科学和化学 [1]

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浏览/检索结果: 共113条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Sulfide treatment passivation of mid-/long-wave dual-color infrared detectors based on type-II InAs/GaSb superlattices 期刊论文  OAI收割 OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 卷号: 51, 期号: 3 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2019/03/21 Dual-color infrared detectors  InAs  GaSb superlattices  Molecular beam epitaxy  Sulfide treatment passivation   Wide spectrum responsivity detectors from visible to mid-infrared based on antimonide 期刊论文  OAI收割 Infrared Physics and Technology, 2019, 卷号: 96, 页码: 1-6 作者:  Guo, Chunyan;  Sun, Yaoyao;  Jia, Qingxuan;  Jiang, Zhi;  Jiang, Dongwei   |  收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2018/12/03 Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4 作者:  Li, Jin-Lun;  Cui, Shao-Hui;  Xu, Jian-Xing;  Cui, Xiao-Ran;  Guo, Chun-Yan   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/05/14 Thz Detector  High Electron Mobility Transistor  Two-dimensional Electron Gas  Inp   Ultrafast all-optical imaging technique using low-temperature grown GaAs/AlxGa1-xAs multiple-quantum-well semiconductor 期刊论文  OAI收割 PHYSICS LETTERS A, 2017, 卷号: 381, 期号: 41, 页码: 3594-3598 作者:  Gao, Guilong;  Tian, Jinshou;  Wang, Tao;  He, Kai;  Zhang, Chunmin   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2017/12/25 Ultrafast Optics  Optical Imaging System  Ultrafast Semiconductor Chip  Framing Camera  Ultrafast Measurements   Method of fabricating a superlattice structure 专利  OAI收割 专利号: US9324900, 申请日期: 2016-04-26, 公开日期: 2016-04-26 作者:  EVANS, ALLAN;  TENNANT, WILLIAM;  HOOD, ANDREW   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287 作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/07/15 Laser diode  MOCVD  GaAs  InP   MBE growth of a semiconductor laser diode 专利  OAI收割 专利号: US7867799, 申请日期: 2011-01-11, 公开日期: 2011-01-11 作者:  HOOPER, STEWART;  BOUSQUET, VALERIE;  JOHNSON, KATHERINE L.;  KAUER, MATTHIAS;  HEFFERNAN, JONATHAN   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Hybrid beam deposition system and methods for fabricating metal oxide-ZnO films, p-type ZnO films, and ZnO-based II-VI compound semiconductor devices 专利  OAI收割 专利号: US7824955, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02 作者:  WHITE, HENRY W.;  RYU, YUNGRYEL;  LEE, TAE-SEOK   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 MBE growth of an algan layer or AlGaN multilayer structure 专利  OAI收割 专利号: US7504321, 申请日期: 2009-03-17, 公开日期: 2009-03-17 作者:  BOUSQUET, VALERIE;  HOOPER, STEWART EDWARD;  BARNES, JENNIFER MARY;  JOHNSON, KATHERINE L.;  HEFFERNAN, JONATHAN   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of manufacturing an ultraviolet light emitting AlGaN composition and ultraviolet light emitting device containing same 专利  OAI收割 专利号: US7498182, 申请日期: 2009-03-03, 公开日期: 2009-03-03 作者:  SAMPATH, ANAND VENKTESH;  COLLINS, CHARLES J.;  GARRETT, GREGORY ALAN;  SHEN, PAUL HONGEN;  WRABACK, MICHAEL   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24