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• 半导体研究所 [47]

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• OAI收割 [47]

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• 期刊论文 [43]
• 会议论文 [4]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [3]
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学科主题

• 半导体物理 [47]

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浏览/检索结果: 共47条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A passive UHF RFID tag chip with a dual-resolution temperature sensor in a0.18μm standard CMOS process 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 11, 页码: 115013, 115013 作者:  Feng, Peng;  Zhang, Qi;  Wu, Nanjian;  Wu, N.(nanjian@semi.ac.cn)   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/06/14 CMOS integrated circuits  Radio frequency identification(RFID)  Radio navigation  Standards  Cmos Integrated Circuits  Radio Frequency Identification(Rfid)  Radio Navigation  Standards   Co doping enhanced giant magnetocaloric effect in Mn1-xCoxAs films epitaxied on GaAs (001) 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 2010, 卷号: 97, 97, 期号: 4, 页码: art. no. 042502, Art. No. 042502 作者:  Xu PF (Xu P. F.);  Nie SH (Nie S. H.);  Meng KK (Meng K. K.);  Wang SL (Wang S. L.);  Chen L (Chen L.)   |  收藏  |  浏览/下载：92/4  |  提交时间：2010/09/07 cobalt compounds  Cobalt Compounds  Doping  Entropy  Gallium Arsenide  Magnetic Epitaxial Layers  Magnetocaloric Effects  Manganese Compounds  Molecular Beam Epitaxial Growth  doping  entropy  gallium arsenide  magnetic epitaxial layers  magnetocaloric effects  manganese compounds  molecular beam epitaxial growth   GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 MU-M  LASER  ISLANDS   Strong Spin-Orbit Interactions in an InAlAs/InGaAs/InAlAs Two-Dimensional Electron Gas by Weak Antilocalization Analysis 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: art. no. 063004 Sun L; Zhou WZ; Yu GL; Shang LY; Gao KH; Zhou YM; Lin T; Cui LJ; Zeng YP; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELLS  GRADED HETEROSTRUCTURES  LOCALIZATION  SCATTERING  SYSTEMS  TIME  HETEROJUNCTIONS   The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：131/30  |  提交时间：2010/03/08 AUGMENTED-WAVE METHOD  P-TYPE ZNO  POINT-DEFECTS  II-VI  NITROGEN  SEMICONDUCTORS  1ST-PRINCIPLES  COMPENSATION  ENHANCEMENT   Effect of electron-electron scattering on spin dephasing in a high-mobility low-density two-dimensional electron gas 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 19, 页码: art. no. 193307 Ruan, XZ; Luo, HH; Ji, Y; Xu, ZY; Umansky, V 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL  SYSTEMS  GAAS  SEMICONDUCTORS  RELAXATION   Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283 作者:  Ji L;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：60/5  |  提交时间：2010/03/08 Photoluminescence energy and fine structure splitting in single quantum dots by uniaxial stress 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1120-1123 Dou, XM; Sun, BQ; Wang, BR; Ma, SS; Zhou, R; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：50/2  |  提交时间：2010/03/08 EXCHANGE INTERACTION  GAAS  PRESSURE  DEPENDENCE  AMPLIFIERS  ELECTRON  EMISSION  EXCITONS  PHOTONS  SPECTRA   Structural, electrical, and optical properties of InAsxSb1-x epitaxial films grown by liquid-phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 7, 页码: art. no. 073712 作者:  Wang Y;  Zhang XW;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Tunneling magnetoresistance in CoFeB/GaAs/(Ga,Mn)As hybrid magnetic tunnel junctions 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 7, 页码: art. no. 07d105 Du, GX; Han, XF; Deng, JJ; Wang, WZ; Zhao, JH 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/03/08 HETEROSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  (GA  MN)AS