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• 半导体研究所 [24]

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• OAI收割 [24]

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• 期刊论文 [17]
• 会议论文 [7]

发表日期

• 2011 [3]
• 2009 [4]
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学科主题

• 半导体材料 [24]

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   An intermediate-band-assisted avalanche multiplication in InAs/InGaAs quantum dots-in-well infrared photodetector 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.73504 Lin L; Zhen HL; Zhou XH; Li N; Lu W; Liu FQ 收藏  |  浏览/下载：40/5  |  提交时间：2011/07/05 DETECTORS  RESPONSIVITY   Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716 作者:  Yin ZG;  Zhang XW;  Tan HR;  Fan YM;  Zhang SG 收藏  |  浏览/下载：41/3  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PRESSURE SYNTHESIS  VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION  EMISSION  DIAMOND  GROWTH   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar   Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of FeNi co-doped ZnO nanowires 期刊论文  OAI收割 epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: art. no. 57004 Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH 收藏  |  浏览/下载：92/34  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  FERROMAGNETISM  FILMS  SPINTRONICS  PRINCIPLES   Ag surface plasmon enhanced double-layer antireflection coatings for GaAs solar cells 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 17-21 作者:  Yang Xiaoli;  Wang Yu;  Zhang Xingwang;  Huang Tianmao 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23 Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE  HETEROSTRUCTURES  OPTIMIZATION  MOBILITY   Anisotropic exchange splitting of excitons in (001)GaAs/Al0.3Ga0.7As superlattice studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: art. no. 013106 Zhou, ZY; Tang, CG; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/08 FINE-STRUCTURE  QUANTUM-WELLS  GAAS/ALAS SUPERLATTICES  SEMICONDUCTORS  TEMPERATURE  HOLE