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机构
半导体研究所 [16]
采集方式
OAI收割 [16]
内容类型
期刊论文 [16]
发表日期
2009 [2]
2007 [2]
2006 [1]
2005 [4]
2004 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [16]
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浏览/检索结果:
共16条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE
期刊论文
OAI收割
journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
Wang BZ
;
Wang XL
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提交时间:2010/03/08
AlInGaN
RF-MBE
structural properties
optical properties
射频分子束外延生长AlInGaN四元合金
期刊论文
OAI收割
无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
作者:
王保柱
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提交时间:2010/11/23
Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 19-23
作者:
Duan Ruifei
;
Liu Zhe
;
Duan Ruifei
;
Wei Tongbo
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 235-238
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:136/0
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提交时间:2010/03/29
doping
带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者:
赵强
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/11/23
Characterization of silicon carbide thin films and their use in colour sensor
期刊论文
OAI收割
solar energy materials and solar cells, 2005, 卷号: 87, 期号: 1-4, 页码: 343-348
Zhang S
;
Raniero L
;
Fortunato E
;
Liao X
;
Hu Z
;
Ferreira I
;
Aguas H
;
Ramos AR
;
Alves E
;
Martins R
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提交时间:2010/03/17
thin film materials & devices
GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1149-1153
作者:
刘超
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340
作者:
Li DB
;
Wei HY
;
Han XX
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浏览/下载:58/22
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提交时间:2010/03/17
cracks
掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 513-516
宋淑芳
;
陈维德
;
张春光
;
卞留芳
;
许振嘉
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85
Wu, JJ
;
Li, DB
;
Lu, Y
;
Han, XX
;
Li, JM
;
Wei, HY
;
Kang, TT
;
Wang, XH
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/03/17
cracks