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半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [3]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2005 [2]
1991 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
专题:半导体研究所
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第一作者单位
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Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
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浏览/下载:41/3
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Synthesis of gan nanowires and nano-pyramids in a two-hot-boat chemical vapor deposition system via an in-doping technique
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4329-4333
作者:
Liu, SF
;
Qin, GG
;
You, LP
;
Zhang, JC
;
Fu, ZX
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Nanostructure
Transmission electron microscopy
Photoluminescence
Synthesis of GaN nanowires and nano-pyramids in a two-hot-boat chemical vapor deposition system via an in-doping technique
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4329-4333
Liu, SF
;
Qin, GG
;
You, LP
;
Zhang, JC
;
Fu, ZX
;
Dai, L
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浏览/下载:252/98
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提交时间:2010/03/17
GaN
CERIUM SILICIDE FORMATION IN THIN CE SI MULTILAYER FILMS
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1991, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 998-1001
HSU CC
;
HO J
;
QIAN JJ
;
WANG YT
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提交时间:2010/11/15
METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE
SI(111)
LA