机构

• 半导体研究所 [17]

采集方式

• OAI收割 [16]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [15]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [4]
• 2008 [1]
• 2000 [8]
• 1999 [1]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [12]
• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文  OAI收割 acta materialia, ACTA MATERIALIA, 2010, 2010, 卷号: 58, 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971, 1963-1971 作者:  Wang ZG;  Li JB;  Gao F;  Weber WJ;  Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China, Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn   |  收藏  |  浏览/下载：62/1  |  提交时间：2010/04/22 Twinning  Twinning  Nanotructures  Fracture  Buckling  Molecular Dynamics  Chemical-vapor-deposition  Ab-initio Calculations  Beta-sic Nanowires  Low-temperature  Thin-films  Simulation  Elasticity  Nanotubes  Polytypes  Growth  Nanotructures  Fracture  Buckling  Molecular dynamics  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AB-INITIO CALCULATIONS  BETA-SIC NANOWIRES  LOW-TEMPERATURE  THIN-FILMS  SIMULATION  ELASTICITY  NANOTUBES  POLYTYPES  GROWTH   Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, B.;  Lu, Y. W.;  Song, H. P.;  Liu, X. L.;  Yang, S. Y. 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Effective mass  Gallium arsenide  Iii-v semiconductors  Scf calculations  Semiconductor quantum wires  Spectral line shift   Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712 作者:  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/04 aluminium compounds  effective mass  gallium arsenide  III-V semiconductors  SCF calculations  semiconductor quantum wires  spectral line shift  EXCHANGE INTERACTION  ENERGY  STATES  ABSORPTION  NANOWIRES  ELECTRONS  SUBBANDS  WELLS  FIELD   Possible origin of ferromagnetism in undoped anatase TiO2 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: art. no. 092411 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：71/34  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  ferromagnetic materials  magnetic moments  magnetic semiconductors  titanium compounds  vacancies (crystal)   Revised ab initio natural band offsets of all group IV, II-VI, and III-V semiconductors 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 21, 页码: art. no. 212109 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  band structure  cadmium compounds  III-V semiconductors  II-VI semiconductors  IV-VI semiconductors  zinc compounds   Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206 Shi LJ; Zhu LF; Zhao YH; Liu BG 收藏  |  浏览/下载：217/56  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  aluminium compounds  annealing  band structure  chromium  Curie temperature  density functional theory  exchange interactions (electron)  ferromagnetic materials  III-V semiconductors  semimagnetic semiconductors  total energy  vacancies (crystal)   Exciton states and optical spectra in CdSe nanocrystallite quantum dots 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 23, 页码: 15880-15886 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTOR CLUSTERS  SIZE DEPENDENCE  ENERGY-LEVELS  CRYSTALLITES  ASSIGNMENT  WURTZITE  SPHERES  BANDS  DARK   Experimental determination of local Strain effect on InAs/GaAs self-organized quantum dots 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 8, 页码: 5530-5534 Wang HL; Yang FH; Feng SL; Zhu HJ; Ning D; Wang H; Wang XD 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRONIC-STRUCTURE  CARRIER RELAXATION  ENERGY-LEVELS  SPECTROSCOPY   Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures 期刊论文  OAI收割 compound semiconductors 1999, 2000, 期号: 166, 页码: 251-256 Wang H; Wang HL; Feng SL; Zhu HJ; Wang XD; Guo ZS; Ning D 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRONIC-STRUCTURE  CARRIER RELAXATION  ENERGY-LEVELS  SPECTROSCOPY   Tuning of conduction intersublevel absorption wavelengths in (In, Ga)As/GaAs quantum-dot nanostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 24, 页码: 3537-3539 Pan D; Towe E; Kennerly S; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 INFRARED PHOTODETECTORS  ENERGY-LEVELS  ISLANDS  GROWTH  INGAAS  GAAS