机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2010 [2]
• 2009 [1]
• 2002 [1]
• 1996 [3]
• 1991 [1]
• 1990 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [9]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 First-principles prediction of the magnetism of 3d transition-metal-doped Rocksalt MgO 期刊论文  OAI收割 physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2010, 2010, 卷号: 374, 374, 期号: 10, 页码: 1292-1296, 1292-1296 作者:  Shi LJ (Shi Li-Jie);  Shi, LJ, Beijing Inst Technol, Sch MSE, Beijing 100081, Peoples R China. E-mail Address: ljshi@bit.edu.cn   |  收藏  |  浏览/下载：18/3  |  提交时间：2010/04/13 Ferromagnetism  Ferromagnetism  Half-metal  Double-exchange Mechanism  Temperature Ferromagnetism  Electric Properties  Zno Films  Ii-vi  Semiconductors  Spintronics  Model  Spin  Gas  Half-metal  Double-exchange mechanism  TEMPERATURE FERROMAGNETISM  ELECTRIC PROPERTIES  ZNO FILMS  II-VI  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  MODEL  SPIN  GAS   Mechanical and chemical bonding properties of ground state BeH2 期刊论文  OAI收割 european physical journal b, EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, 2010, 2010, 卷号: 74, 74, 期号: 3, 页码: 303-308, 303-308 作者:  Wang BT;  Zhang P;  Shi HL;  Sun B;  Li WD   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/28 BERYLLIUM HYDRIDE  Beryllium Hydride  Ab-initio  Mgh2  AB-INITIO  MGH2   Structural, elastic, and electronic properties of cubic perovskite BaHfO3 obtained from first principles 期刊论文  OAI收割 physica b-condensed matter, 2009, 卷号: 404, 期号: 16, 页码: 2192-2196 Zhao HS; Chang AM; Wang YL 收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08 BaHfO3  Elastic properties  Electronic structures  First-principles calculations   Electronic structure of diluted magnetic semiconductor superlattices: In-plane magnetic field effect 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 19, 页码: art.no.195204 Wu HB; Chang K; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-WELLS  BAND OFFSETS  TRANSITION  EXCITONS  BEHAVIOR  CD1-XMNXTE  EXCHANGE  SYSTEM   Band structure parameters of zinc-blende GaN, AlN and their alloys Ga1-xAlxN 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 1996, 卷号: 97, 期号: 5, 页码: 381-384 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 semiconductors  electronic band structure  PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS  ELECTRONIC-STRUCTURE  GALLIUM NITRIDE  SEMICONDUCTORS  DIAMOND   High-pressure study of optical transitions in strained In0.2Ga0.8As/GaAs multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 19, 页码: 13820-13826 Li GH; Goni AR; Syassen K; Hou HQ; Feng W; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/11/17 HYDROSTATIC-PRESSURE  EXCITON ABSORPTION  DEFORMATION POTENTIALS  LAYER SUPERLATTICES  BAND OFFSET  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  SPECTROSCOPY  DEPENDENCE  TEMPERATURE   Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1-xAlxN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 188-194 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM NITRIDE  BAND-GAPS  PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS  ALUMINUM NITRIDE  SEMICONDUCTORS  GROWTH  INSULATORS  CRYSTALS  SILICON  DIAMOND   SHEAR-DEFORMATION-POTENTIAL CONSTANT OF THE CONDUCTION-BAND MINIMA OF SI - EXPERIMENTAL-DETERMINATION BY THE DEEP-LEVEL CAPACITANCE TRANSIENT METHOD 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 17, 页码: 14040-14046 LI MF; ZHAO XS; GU ZQ; CHEN JX; LI YJ; WANG JQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON  SEMICONDUCTORS  CAPTURE  CENTERS  ELECTRONS  EMISSION   SHEAR-DEFORMATION-POTENTIAL CONSTANT OF THE CONDUCTION-BAND MINIMA OF SI - PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1990, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 5714-5718 LI MF; GU ZQ; WANG JQ 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15