机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2011 [2]
• 2001 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105 Lu YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Cao ZF; Luan CB; Chen H; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：56/2  |  提交时间：2011/07/05 AlGaN/GaN heterostructures  thermal stressing  polarization  self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  POLARIZATION  STABILITY  CHARGE  GAN   Quantitative surface enhanced Raman scattering detection based on the "sandwich" structure substrate 期刊论文  OAI收割 spectrochimica acta part a-molecular and biomolecular spectroscopy, 2011, 卷号: 79, 期号: 3, 页码: 625-630 作者:  Tang AW 收藏  |  浏览/下载：82/5  |  提交时间：2011/07/15 SILVER NANORODS  HOT-SPOTS  ACTIVE SUBSTRATE  NANOWIRE ARRAYS  SPECTROSCOPY  SERS  NANOPARTICLES  SENSITIVITY  REDUCTION  STABILITY   Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 期刊论文  OAI收割 solar energy materials and solar cells, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123-133 Sheng SR; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous silicon  stability  A-SI-H  CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  URBACH EDGE  SOLAR-CELLS  GAP STATES  ABSORPTION  DENSITY  SPECTROSCOPY  INCREASE   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：103/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION