机构

• 苏州纳米技术与纳米... [12]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2016 [2]
• 2015 [2]
• 2014 [3]
• 2013 [2]
• 2012 [1]
• 2011 [2]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Plasmonic terahertz modulator based on a grating-coupled two-dimensional electron system 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 20 作者:  Huang, YD(黄永丹);  Yu, Y(余耀);  Qin, H(秦华);  Sun, JD(孙建东);  Zhang, ZP(张志鹏) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/03/11 Normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors using hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 15 作者:  Hao, RH;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY;  Yuan, J 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11 Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4 作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/12/31 high electron mobility transistor  two-dimensional electron gas  GaN   The effect of symmetry on resonant and nonresonant photoresponses in a field-effect terahertz detector 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 106, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Sun, JD(孙建东);  Qin, H(秦华);  Lewis, RA;  Yang, XX(杨昕昕);  Sun, YF(孙云飞) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/31 Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2014, 卷号: 564, 期号: 0, 页码: 135-139 作者:  Yang H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/12/02 Carbon impurity  Metalorganic chemical vapor deposition  High-resistance gallium nitride  High electron mobility transistors   Research on biomolecule-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor biosensors 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 7 作者:  Wu, DM (吴东岷);  Li, JD (李加东) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/02/03 two-dimensional electron gas  high electron mobility transistor  biosensor  prostate specific antigen   Demonstration of Normally-Off Recess-Gated AlGaN/GaN MOSFET Using GaN Cap Layer as Recess Mask 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1197-1199 作者:  Cai, Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/02/03 Self-terminating  normally-off  AlGaN/GaN MOSFET  GaN cap layer  gate recess  recess mask   Excitation of terahertz plasmon-polariton in a grating coupled two-dimensional electron gas with a Fabry-Perot cavity 期刊论文  OAI收割 PPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 25 作者:  Zhang, BS(张宝顺);  Qin, H(秦华);  Huang, YD(黄永丹) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/01/13 Terahertz plasmon polariton formed in a Fabry-Perot cavity and a grating-coupled two-dimensional electron gas 会议论文  OAI收割 5th International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging (ISPDI) - Terahertz Technologies and Applications, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 25-27, 2013 作者:  Huang, YD(黄永丹);  Zhang, BS(张宝顺);  Qin, H(秦华) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2014/01/15 2D plasmons  Fabry-Perot cavity  Terahertz time-domain spectroscopy  GaN/AlGaN heterostructure   Two-dimensional electron transport in AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 Physica B, 2012, 卷号: 407, 期号: 21, 页码: 4277-4280 作者:  Hua Qin（秦华）;  Hua Qin（秦华）;  Yu Zhou（周宇） 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/01/16 Two-dimensional electron gas  GaN  Drift velocity  Electron temperature