机构

• 高能物理研究所 [3]
• 半导体研究所 [3]
• 大连化学物理研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2018 [2]
• 2017 [2]
• 2008 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Role of oxygen vacancies on oxygen evolution reaction activity: beta-ga2o3 as a case study 期刊论文  iSwitch采集 Chemistry of materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 21, 页码: 7714-7726 作者:  Liu, Taifeng;  Feng, Zhaochi;  Li, Qiuye;  Yang, Jianjun;  Li, Can 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/08 Enhanced photoelectrochemical performance of tio2 through controlled ar+ ion irradiation: a combined experimental and theoretical study 期刊论文  iSwitch采集 International journal of hydrogen energy, 2018, 卷号: 43, 期号: 14, 页码: 6936-6944 作者:  Wu, Hengyi;  Wang, Zhaowu;  Jin, Shuoxue;  Cao, Xingzhong;  Ren, Feng 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/04/23 Ion irradiation  Tio2  Vacancy  Photoelectrochemical water splitting   Effects of stress-relief pre-annealing on deuterium trapping and diffusion in tungsten 期刊论文  iSwitch采集 Fusion engineering and design, 2017, 卷号: 125, 页码: 526-530 作者:  Zhu, Xiu-Li;  Cheng, Long;  De Temmerman, Gregory;  Shi, Li-Qun;  Yuan, Yue 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/04/23 Deuterium  Tungsten  Stress-relief pre-annealing  Residual stresses   Solution and diffusion of hydrogen isotopes in tungsten-rhenium alloy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of nuclear materials, 2017, 卷号: 491, 页码: 206-212 作者:  Ren, Fei;  Yin, Wen;  Yu, Quanzhi;  Jia, Xuejun;  Zhao, Zongfang 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/04/23 Hydrogen isotopes  Tungsten-rhenium alloy  Solution and diffusion  First-principle calculations   Investigation of native defects and property of bulk zno single crystal grown by a closed chemical vapor transport method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 639-645 作者:  Wei, Xuecheng;  Zhao, Youwen;  Dong, Zhiyuan;  Li, Jinmin 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Defects  X-ray diffraction  Growth from vapor  Oxides  Semiconducting ii-vi materials   Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped gasb 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters a, 2004, 卷号: 332, 期号: 3-4, 页码: 286-290 作者:  Hu, WG;  Wang, Z;  Su, BF;  Dai, YQ;  Wang, SJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Gasb  Coincidence doppler broadening  Positron annihilation  Defect   Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in inp 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 作者:  Deng, AH;  Mascher, P;  Zhao, YW;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12