机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]
• 2004 [2]
• 2000 [1]
• 1997 [1]

学科主题

• 半导体物理 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Electronic structure and optical gain of truncated InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 Band structure  k.p method  Quantum dots  Diluted nitride  Optical gain   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：284/63  |  提交时间：2010/03/09 molecular beam epitaxy   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文  OAI收割 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  GaAsSb/GaAs  GAAS  LASERS  GAIN   Study of self-assembled InAs quantum dot structure covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) capping layer 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2230-2234 Wang XD; Liu HY; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  cap layer  strain-reducing  redshift  MU-M  EMISSION  INGAAS   Effective-mass theory for InAs/GaAs strained superlattices 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica-overseas edition, 1997, 卷号: 6, 期号: 11, 页码: 848-860 Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/17 INAS MONOMOLECULAR PLANE  MONOLAYER QUANTUM-WELLS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRONIC-STRUCTURE  OPTICAL-TRANSITIONS  VALENCE BANDS  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  MICROSTRUCTURES