机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2013 [1]
• 2008 [3]
• 2006 [1]
• 1998 [2]
• 1996 [1]

学科主题

• 半导体物理 [3]
• 半导体材料 [2]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Cooling Rate Dependent Lattice Rotation in Ge on Insulators Formed by Rapid Melt Growth 期刊论文  OAI收割 ecs solid state lett., ECS Solid State Lett., 2013, 2013, 卷号: 2, 2, 期号: 9, 页码: 73-75, 73-75 作者:  J. J. Wen, Z. Liu, L. L. Li, C. Li, C. L. Xue, Y. H. Zuo, C. B. Li, Q. M. Wang and B. W. Chengz   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/04/04 Structural and electrical properties of (110) zno epitaxial thin films on (001) srtio3 substrates 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2008, 卷号: 148, 期号: 5-6, 页码: 247-250 作者:  Wu, Yunlong;  Zhang, Liuwan;  Xie, Guanlin;  Ni, Jun;  Chen, Yonghai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Zno thin films  Pulsed laser deposition  Electrical resistance   QtUCP-A program for determining unit-cell parameters in electron diffraction experiments using double-tilt and rotation-tilt holders 期刊论文  OAI收割 ultramicroscopy, 2008, 卷号: 108, 期号: 12, 页码: 1540-1545 Zhao HS; Wu DQ; Yao JC; Chang AM 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/08 Electron diffraction   Structural and electrical properties of (110) ZnO epitaxial thin films on (001) SrTiO3 substrates 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2008, 卷号: 148, 期号: 39939, 页码: 247-250 Wu, YL; Zhang, LW; Xie, GL; Ni, J; Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/03/08 ZnO thin films  Pulsed laser deposition  Electrical resistance   Symmetry restrictions in the chirality dependence of physical properties of single-wall nanotubes 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 15, 页码: art.no.155424 Ye F; Wang BS; Su ZB 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 BORON-NITRIDE NANOTUBES  CARBON NANOTUBES  ELECTRONIC-STRUCTURE  OPTICAL-ACTIVITY   Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an inas film on a gaas(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal x-ray diffraction 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 作者:  Wang, HM;  Zeng, YP;  Zhou, HW;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 Wang HM; Zeng YP; Zhou HW; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HALL ELEMENTS  GAAS  MISORIENTATION  DISTORTION  LAYERS  MBE  SI  HETEROSTRUCTURES  GROWTH   Assessment of the structural properties of GaAs/Si epilayers using X-ray (004) and (220) reflections 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1996, 卷号: 35, 期号: 12a, 页码: 6017-6018 Hao MS; Wang YT; Shao CL; Soga TS; Liang JW; Jimbo T; Umeno M 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 lattice constant  misorientation  X-ray reflection  GaAs/Si epilayer  SI