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一种土壤和沉积物中有机碳稳定同位素制备装置 专利  OAI收割
专利号: 2020224585323, 申请日期: 2021-06-29,
作者:  谭扬;  吴学丽
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Noninvasive electroactive protonic protein nanosensor with polymer photovoltaic optics for memory transduction using organic and inorganic elements 专利  OAI收割
专利号: WO2017117223A1, 申请日期: 2017-07-06, 公开日期: 2017-07-06
作者:  BRODERICK, PATRICIA A.
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
Thermosetting resin composition and photosemiconductor encapsulation material 专利  OAI收割
专利号: EP2508545B1, 申请日期: 2014-06-18, 公开日期: 2014-06-18
作者:  YAMAMOTO, HISANAO;  MATSUDA, TAKAYUKI;  TAKAHASHI, HIDEAKI
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Process for producing copper nanoparticles 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: US 7,422,620 B2, 申请日期: 2008-09-09, 公开日期: 2006-03-16
作者:  Liu WM(刘维民)
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2013/06/24
Light-emitting semiconductor diode in a hermetically sealed container 专利  OAI收割
专利号: EP0655813B1, 申请日期: 1998-02-11, 公开日期: 1998-02-11
作者:  DE POORTER, JOHANNES A., C/O INT. OCTROOIBUREAU BV
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26
Method of making P-type compound semiconductor employing trimethylgallium, trimethylarsenic and arsine 专利  OAI收割
专利号: US5173445, 申请日期: 1992-12-22, 公开日期: 1992-12-22
作者:  ANDO, KOJI;  YAGI, TETSUYA
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
Manufacture of buried type semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1989192184A, 申请日期: 1989-08-02, 公开日期: 1989-08-02
作者:  OKAYASU MASANOBU;  KOUMAE ATSUO;  TAKESHITA TATSUYA;  KOGURE OSAMU
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Selective buried growth of iii-v compound semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1989175727A, 申请日期: 1989-07-12, 公开日期: 1989-07-12
作者:  KATOU YOSHITAKE
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Selective buried growth of group iii-v compound semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1989175727K1, 申请日期: 1989-07-12, 公开日期: 1989-07-12
作者:  KATOU YOSHITAKE
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1987142385A, 申请日期: 1987-06-25, 公开日期: 1987-06-25
作者:  IWANO HIDEAKI
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