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• 半导体研究所 [36]

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• 期刊论文 [30]
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发表日期

• 2015 [1]
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学科主题

• 光电子学 [36]

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浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells 期刊论文  OAI收割 optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935 W. Liu; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; M. Shi; D. M.Zhao; X. Li; J. P. Liu; S. M. Zhang; H. Wang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T.Du 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/03/23 Dependence of the optoelectronic properties of selenium-hyperdoped silicon on the annealing temperature 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, Materials Science in Semiconductor Processing, 2013, 2013, 卷号: 16, 16, 期号: 3, 页码: 987–991, 987–991 作者:  Shaoxu Hu, Peide Han, Yanhong Mi, Yupeng Xing, Peng Liang, Yujie Fan   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/04/08 Highly efficient photoluminescence of Er2SiO5 films grown by reactive magnetron sputtering method 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/04/05 Erbium silicate  Photoluminescence  Si photonics  WAVE-GUIDE AMPLIFIERS  CRYSTALLINE FILMS  ERBIUM SILICATE  ENERGY-TRANSFER  SI  ER3+  EXCITATION   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  BAND-GAP  GROWTH  SURFACES   Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102 作者:  Su SJ;  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：51/1  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTORS  DEPENDENCE  SILICON  GAP   Temperature Sensitivity Dependence on Cavity Length in p-Type Doped and Undoped 1.3-mu m InAs-GaAs Quantum-Dot Lasers 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2008, 卷号: 20, 期号: 21-24, 页码: 1860-1862 作者:  Yang T;  Cao YL;  Ma WQ 收藏  |  浏览/下载：238/72  |  提交时间：2010/03/08 Characteristics temperature  p-doped  quantum-dot (QD) laser  saturation modal gain   Subtraction of scattering parameters for adiabatic intrinsic responses of semiconductor lasers 期刊论文  OAI收割 microwave and optical technology letters, 2008, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 992-995 Zhang, SJ; Zhu, NH; Liu, Y; Liu, YZ 收藏  |  浏览/下载：56/2  |  提交时间：2010/03/08 semiconductor laser  scattering parameter  intrinsic response  chip temperature  pulse injection   Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121 Liu, HY; Meng, ZM; Dai, QF; Wu, LJ; Guo, Q; Hu, W; Liu, SH; Lan, S; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2010/03/08 ENERGY RELAXATION  ELECTRON RELAXATION  CAPTURE  PHONON  INAS  GAAS  TEMPERATURE  DEPENDENCE  DENSITY  TIME   Depth dependence of structural quality in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519 作者:  Wang H;  Wang YT;  Wang LL;  Yang H;  Wang H 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/29 X-ray diffraction