中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
  • 半导体研究所 [6]
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件                
条数/页： 排序方式：
Controlling edge state transport in a HgTe topological insulator by superlattice effect 期刊论文  OAI收割
physical review b, Physical Review B, 2013, 2013, 卷号: 87, 87, 期号: 24, 页码: 5311, 5311
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/03/26
Effect of transverse electric field on helical edge states in a quantum spin-hall system 期刊论文  iSwitch采集
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 22, 页码: 3
作者:  Liu, Genhua;  Zhou, Guanghui;  Chen, Yong-Hai
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12
Electrical switching of the edge channel transport in hgte quantum wells with an inverted band structure 期刊论文  iSwitch采集
Physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 8, 页码: 4
作者:  
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12
Electrical switching of the edge channel transport in HgTe quantum wells with an inverted band structure 期刊论文  OAI收割
physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2011, 2011, 卷号: 83, 83, 期号: 8, 页码: article no.81402, Article no.81402
作者:  Zhang LB;  Cheng F;  Zhai F;  Chang K;  Zhang, LB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
  |  收藏  |  浏览/下载：48/5  |  提交时间：2011/07/05
Quantum tunneling through planar p-n junctions in hgte quantum wells 期刊论文  iSwitch采集
New journal of physics, 2010, 卷号: 12, 页码: 10
作者:  Zhang, L. B.;  Chang, Kai;  Xie, X. C.;  Buhmann, H.;  Molenkamp, L. W.
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12
Quantum tunneling through planar p-n junctions in HgTe quantum wells 期刊论文  OAI收割
new journal of physics, NEW JOURNAL OF PHYSICS, 2010, 2010, 期号: 12, 页码: art. no. 083058, Art. No. 083058
作者:  Zhang LB (Zhang L. B.)
  |  收藏  |  浏览/下载：144/5  |  提交时间：2010/09/20