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机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2001 [2]
1999 [2]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate
期刊论文
OAI收割
thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Liu SA
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:101/13
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
X-ray diffraction
EPITAXY
RATIO
Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in GaN/GaAs(001) epilayers measured by conventional X-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:88/13
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提交时间:2010/08/12
characterization
defects
X-ray diffraction
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GAN
GROWTH
EPITAXY
The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si
会议论文
OAI收割
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Wang YS
;
Li JM
;
Zhang FF
;
Lin LY
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HYDROCARBON RADICALS
SI(001) SURFACE
BEAM
The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 564-567
Wang YS
;
Li JM
;
Zhang FF
;
Lin LY
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
Si
SiC
carbonization
RHEED
single crystal epilayer
HYDROCARBON RADICALS
SI(001) SURFACE
BEAM
HETEROEPITAXIAL GROWTH
Twin and grain boundary in InP: A synchrotron radiation study
会议论文
OAI收割
symposium on applications of synchrotron radiation techniques to materials science iv, san francisco, ca, apr 13-17, 1998
Han YJ
;
Jiang JH
;
Wang ZG
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Tian YL
;
Lin LY
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提交时间:2010/10/29