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半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2019 [4]
学科主题
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共4条,第1-4条
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专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
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发表日期:2019
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Temperature and excitation wavelength dependence of circular and linear photogalvanic effect in a three dimensional topological insulator Bi 2 Se 3
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics Condensed Matter, 2019, 卷号: 31, 期号: 41, 页码: 415702
作者:
Y M Wang
;
J L Yu
;
X L Zeng
;
Y H Chen
;
Y Liu
;
S Y Cheng
;
Y F Lai
;
C M Yin
;
K He 7
;
Q K Xue
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/07/30
Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
Y.W. He
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
M. Guan
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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提交时间:2020/07/31
Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4
作者:
G.G. Yan
;
X.F. Liu
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
F. Zhang
;
X.H. Zhang
;
X.G. Li
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
;
Z.G. Wang
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提交时间:2020/08/04
The influence of growth temperature on 4H-SiC epilayers grown on different off-angle (0001) Si-face substrates
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 175-179
作者:
G.G. Yan
;
X.F. Liu
;
Z.W. Shen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
Y.X. Cui
;
J.T. Li
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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提交时间:2020/07/31