机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2013 [1]
• 2012 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [3]

学科主题

• 光电子学 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2013, 卷号: 372, 页码: 43-48 Su, X. J.; Xu, K.; Ren, G. Q.; Wang, J. F.; Xu, Y.; Zeng, X. H.; Zhang, J. C.; Cai, D. M.; Zhou, T. F.; Liu, Z. H.; Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/08/27 Can interference patterns in the reflectance spectra of GaN epilayers give important information of carrier concentration? 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 19, 页码: 191102 Zheng CC (Zheng, C. C.); Xu SJ (Xu, S. J.); Zhang F (Zhang, F.); Ning JQ (Ning, J. Q.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Yang H (Yang, H.); Che CM (Che, C. M.) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/03/27 Violet electroluminescence of AlInGaN-InGaN multiquantum-well light-emitting diodes: Quantum-confined stark effect and heating effect 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2007, 卷号: 19, 期号: 9-12, 页码: 789-791 Li, J (Li, Jun); Shi, SL (Shi, S. L.); Wang, YJ (Wang, Y. J.); Xu, SJ (Xu, S. J.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Yang, H (Yang, H.); Lu, F (Lu, F.) 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/29 AlInGaN   Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Djurisic AB (Djurisic A. B.); Beling CD (Beling C. D.); Cheung CK (Cheung C. K.); Cheung CH (Cheung C. H.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  N-TYPE GAN  ELECTRICAL-PROPERTIES  BIAS LEAKAGE  DIODES  OXYGEN   Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Shi SL (Shi S. L.); Beling CD (Beling C. D.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 DISLOCATIONS  DEGRADATION   Non-exponential photoluminescence decay dynamics of localized carriers in disordered InGaN/GaN quantum wells: the role of localization length 期刊论文  OAI收割 optics express, 2006, 卷号: 14, 期号: 26, 页码: 13151-13157 Wang, YJ (Wang, Y. J.); Xu, SJ (Xu, S. J.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Yang, H (Yang, H.); Shan, XD (Shan, X. D.); Yu, DP (Yu, D. P.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE