机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343 Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：144/21  |  提交时间：2010/08/17 Valence band offset  w-InN/h-BN heterojunction  X-ray photoelectron spectroscopy  Conduction band offset  Valence band offset  NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY  INDIUM NITRIDE  WURTZITE GAN  SURFACE  FILM  ALN  TRANSPORT  EMISSION  NAXWO3  GROWTH