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• 半导体研究所 [17]

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• OAI收割 [17]

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• 期刊论文 [16]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2016 [2]
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学科主题

• 半导体材料 [17]

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Large-Size 2D β-Cu2 S Nanosheets with Giant Phase Transition Temperature Lowering (120 K) Synthesized by a Novel Method of Super-Cooling Chemical-Vapor-Deposition 期刊论文  OAI收割 Adv. Mater., 2016, 卷号: 28, 页码: 8271–8276 Bo Li; Le Huang; Guangyao Zhao; Zhongming Wei; Huanli Dong; Wenping Hu; Lin-Wang Wang; Jingbo Li 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/03/10 Unidirectional Coupling of Surface Plasmon Polaritons by a Single Slit on a Metal Substrate 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2016, 卷号: 28, 期号: 21, 页码: 2395-2398 Haifeng Hu; Xie Zeng; Yong Zhao; Jin Li; Haomin Song; Guofeng Song; Yun Xu; Qiaoqiang Gan 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/16 Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2010, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 042001-1-042001-4 Hu Weijie; Zhao Youwen; Sun Wenrong; Duan Manlong; Dong Zhiyuan; Yang Jun 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/08/16 Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 503-506 Yu, LK; Xu, B; Wang, ZG; Jin, P; Zhao, C; Lei, W; Sun, J; Hu, LJ 收藏  |  浏览/下载：24/1  |  提交时间：2010/03/08 growth interruption  in segregation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum dots   ZnO thin films on Si(111) grown by pulsed laser deposition from metallic Zn target 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 841-845 Zhao J (Zhao Jie); Hu LZ (Hu Lizhong); Wang ZY (Wang Zhaoyang); Sun J (Sun Jie); Wang ZJ (Wang Zhijun) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 ZnO  pulsed laser deposition  oxygen pressure  annealing  X-ray diffraction  photoluminescence  ULTRAVIOLET EMISSION  ROOM-TEMPERATURE  ZINC-OXIDE   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 growth interruption  in segregation  surface oxide  molecular beam epitaxy  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYER  SHAPE  SIZE