机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• iSwitch采集 [4]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2015 [2]
• 2011 [1]
• 2008 [2]
• 2007 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 8383-8388 S. Luo; H.M. Ji; F. Gao; F. Xu; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/03/22 Broadband tunable InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.55 mu 期刊论文  OAI收割 optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 14, 页码: 18493 F. Gao; S. Luo; H.M. Ji; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/03/22 Thermo-optical tunable planar ridge microdisk resonator in silicon-on-insulator 期刊论文  iSwitch采集 Optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 11220-11227 作者:  Song, Junfeng;  Fang, Qing;  Luo, Xianshu;  Cai, Hong;  Liow, T. -Y. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence factors on wear resistance of two alumina matrix composites 期刊论文  iSwitch采集 Wear, 2008, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 27-33 作者:   收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/05/12 Alumina  Ceramic composites  Wear resistance  Fracture mode   High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Hu, G. X. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemts  Sic  Power   1-mm gate periphery algan/ain/gan hemts on sic with output power of 9.39 w at 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 作者:  Wang, X. L.;  Cheng, T. S.;  Ma, Z. Y.;  Hu, Gx;  Xiao, H. L. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  Hemt  Mocvd  Power device  Sic substrates