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机构
半导体研究所 [13]
采集方式
OAI收割 [7]
iSwitch采集 [6]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2018 [1]
2015 [1]
2013 [1]
2011 [2]
2009 [1]
2007 [1]
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学科主题
光电子学 [3]
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半导体物理 [1]
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共13条,第1-10条
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专题:半导体研究所
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Direct Growth of 5 in. Uniform Hexagonal Boron Nitride on Glass for High-Performance Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes
期刊论文
OAI收割
Advanced Materials Interfaces, 2018, 卷号: 5, 期号: 18, 页码: 1800662
作者:
Qiucheng Li
;
Qingqing Wu
;
Jing Gao
;
Tongbo Wei
;
Jingyu Sun
;
Hao Hong
;
Zhipeng Dou
;
Zhepeng Zhang
;
Mark H. Rümmeli
;
Peng Gao
;
Jianchang Yan
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Yanfeng Zhang
;
Zhongfan Liu
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提交时间:2019/11/12
Gravitational wave astronomy:the current status
期刊论文
OAI收割
science china-physics, mechanics & astronomy, 2015, 卷号: 58, 期号: 12, 页码: 120402
BLAIR David
;
JULi
;
ZHAO ChunNong
;
WENLinQing
;
CHU Qi
;
FANG Qi
;
CAI RongGen
;
GAO JiangRui
;
LIN XueChun
;
LIU Dong
;
WU Ling-An
;
ZHU ZongHong
;
REITZE David H.
;
ARAI Koji
;
ZHANG Fan
;
FLAMINI
;
Raffaele
;
ZHU XingJiang
;
HOBBS George
;
MANCHESTER Richard N.
;
SHANNON Ryan M.
;
BACCIGALUPI Carlo
;
GAOWei
;
XU Peng
;
BIAN Xing
;
CAO ZhouJian
;
CHANG ZiJing
;
DONG Peng
;
GONG XueFei
;
HUANG ShuangLin
;
JUPeng
;
LUO ZiRen
;
QIANG Li’E
;
TANG WenLin
;
WAN XiaoYun
;
WANG Yue
;
XU ShengNian
;
ZANG YunLong
;
ZHANG HaiPeng
;
LAU Yun-Kau
;
NIWei-Tou
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提交时间:2016/04/15
Chemical trends of magnetic interaction in Mn-doped III-V
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 102, 102, 期号: 12, 页码: 122409, 122409
作者:
H. Peng, J. Li, S. H. Wei
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提交时间:2014/03/26
Anomalous linear photogalvanic effect observed in a gan-based two-dimensional electron gas
期刊论文
iSwitch采集
Physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Peng, X. Y.
;
Zhang, Q.
;
Shen, B.
;
Shi, J. R.
;
Yin, C. M.
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提交时间:2019/05/12
The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure
期刊论文
iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5
作者:
Bi, Y.
;
Wang, X. L.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, C. M.
;
Peng, E. C.
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提交时间:2019/05/12
Origin and enhancement of hole-induced ferromagnetism in first-row d(0) semiconductors
期刊论文
iSwitch采集
Physical review letters, 2009, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: 4
作者:
Peng, Haowei
;
Xiang, H. J.
;
Wei, Su-Huai
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
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提交时间:2019/05/12
High average power and short pulse duration continuous wave mode-locked Nd : GdVO4 laser with a semiconductor absorber mirror
期刊论文
OAI收割
laser physics, 2007, 卷号: 17, 期号: 8, 页码: 1033-1036
Peng, JY (Peng, J. Y.)
;
Wang, BS (Wang, B. S.)
;
Wang, YG (Wang, Y. G.)
;
Miao, JG (Miao, J. G.)
;
Hao, EJ (Hao, E. J.)
;
Tan, HM (Tan, H. M.)
;
Qian, LS (Qian, L. S.)
;
Ma, XY (Ma, X. Y.)
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提交时间:2010/03/29
SATURABLE-ABSORBER
A comparison between contactless electroreflectance and photoreflectance spectra from n-doped gaas on a semi-insulating gaas substrate
期刊论文
iSwitch采集
Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 1467-1471
作者:
Jin, Peng
;
Pan, S. H.
;
Li, Y. G.
;
Zhang, C. Z.
;
Wang, Z. G.
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
High-performance 1.55 mu m low-temperature-grown gaas resonant-cavity-enhanced photodetector
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: 3
作者:
Han, Q.
;
Niu, Z. C.
;
Peng, L. H.
;
Ni, H. Q.
;
Yang, X. H.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Preparation and afm characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate
期刊论文
iSwitch采集
Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 337-340
作者:
Zhou, H. Y.
;
Qu, S. C.
;
Wang, Z. G.
;
Liang, L. Y.
;
Cheng, B. C.
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Anodic alumina films
Semi-insulated gaas substrate
Anodization