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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
发表日期:2006
学科主题:半导体材料
条数/页:
5
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100
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Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 1-4
作者:
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
会议论文
OAI收割
3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Yang, ZX
收藏
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浏览/下载:202/19
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提交时间:2010/03/29
indium phosphide
Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed InP
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123519
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Miao, SS (Miao, Shanshan)
;
Deng, AH (Deng, Aihong)
;
Yang, J (Yang, Jun)
;
Wang, B (Wang, Bo)
收藏
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浏览/下载:57/0
  |  
提交时间:2010/03/29
DOPED SEMIINSULATING INP
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
期刊论文
OAI收割
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 75-77
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Yang ZX
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
semi-insualting
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
SEMI-INSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FE