机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• iSwitch采集 [6]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2010 [8]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994 作者:  Song, H. P.;  Zheng, G. L.;  Yang, A. L.;  Guo, Y.;  Wei, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Zno  In2o3  Mocvd  Photoelectron spectroscopies   Synthesies and properties of tb-doped gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Inorganic materials, 2010, 卷号: 46, 期号: 10, 页码: 1096-1099 作者:  Cao, Y. P.;  Shi, F.;  Xiu, X. W.;  Sun, H. B.;  Guo, Y. F. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Anomalous shift of the beating nodes in illumination-controlled in1-xgaxas/in1-yalyas two-dimensional electron gases with strong spin-orbit interaction 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 19, 页码: 6 作者:  Zhou, W. Z.;  Lin, T.;  Shang, L. Y.;  Yu, G.;  Gao, K. H. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and properties of dy-doped gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2010, 卷号: 50, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Cao, Y. P.;  Shi, F.;  Sun, H. B.;  Liu, W. J.;  Guo, Y. F. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Fabrication of gan nanowires on pd-coated sapphire substrates by magnetron sputtering technique 期刊论文  iSwitch采集 Materials characterization, 2010, 卷号: 61, 期号: 4, 页码: 381-385 作者:  Guo, Y. F.;  Xue, C. S.;  Liu, W. J.;  Sun, H. B.;  Cao, Y. P. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanowires  Semiconductor  Sputtering  Photoluminescence   A study of indium incorporation in in-rich ingan grown by movpe 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Guo, Y.;  Liu, X. L.;  Song, H. P.;  Yang, A. L.;  Xu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Movpe  In-rich ingan  Indium incorporation   The growth of ZnO on bcc-In2O3 buffer layers and the valence band offset determined by X-ray photoemission spectroscopy 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994 Song HP (Song H. P.); Zheng GL (Zheng G. L.); Yang AL (Yang A. L.); Guo Y (Guo Y.); Wei HY (Wei H. Y.); Li CM (Li C. M.); Yang SY (Yang S. Y.); Liu XL (Liu X. L.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/27 ZnO  In2O3  MOCVD  Photoelectron spectroscopies  IN2O3-ZNO FILMS  TRANSPARENT  OXIDE  SEMICONDUCTORS  INN   Anomalous shift of the beating nodes in illumination-controlled In1-xGaxAs/In1-yAlyAs two-dimensional electron gases with strong spin-orbit interaction 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 19, 页码: art. no. 195312 Zhou WZ (Zhou W. Z.); Lin T (Lin T.); Shang LY (Shang L. Y.); Yu G (Yu G.); Gao KH (Gao K. H.); Zhou YM (Zhou Y. M.); Wei LM (Wei L. M.); Cui LJ (Cui L. J.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Guo SL (Guo S. L.); Chu JH (Chu J. H.) 收藏  |  浏览/下载：190/33  |  提交时间：2010/06/18 INXGA1-XAS/INP QUANTUM-WELLS  INVERSION ASYMMETRY  HOLE SYSTEMS  HETEROSTRUCTURES  SUBBAND  LAYERS