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苏州纳米技术与纳米仿... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2016 [8]
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共8条,第1-8条
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发表日期:2016
专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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A low resistivity n(++)-InGaN/p(++)-GaN polarization-induced tunnel junction
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 11
作者:
Hu, WW
;
Zhang, SM(张书明)
;
Ikeda, M
;
Chen, YG
;
Liu, JP(刘建平)
收藏
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Hole transport in c-plane InGaN-based green laser diodes
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 9
作者:
Cheng, Y(程洋)
;
Liu, JP(刘建平)
收藏
  |  
Printed thin-film transistors and NO2 gas sensors based on sorted semiconducting carbon nanotubes by isoindigo-based copolymer
期刊论文
OAI收割
CARBON, 2016, 卷号: 108
作者:
Zhou, CS(周春山)
;
Zhao, JW(赵建文)
;
Ye, J
;
Tange, M
;
Zhang, X(张祥)
收藏
  |  
Printed thin film transistors and CMOS inverters based on semiconducting carbon nanotube ink purified by a nonlinear conjugated copolymer
期刊论文
OAI收割
NANOSCALE, 2016, 卷号: 8, 期号: 8
作者:
Xu, WY(徐文亚)
;
Dou, JY(窦军彦)
;
Zhao, JW(赵建文)
;
Tan, HW
;
Ye, J
收藏
  |  
Flexible CMOS-Like Circuits Based on Printed P-Type and N-Type Carbon Nanotube Thin-Film Transistors
期刊论文
OAI收割
SMALL, 2016, 卷号: 12, 期号: 36
作者:
Zhang, X(张祥)
;
Zhao, JW(赵建文)
;
Dou, JY(窦军彦)
;
Tange, M
;
Xu, WW(许威威)
收藏
  |  
High Mobility MoS2 Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer
期刊论文
OAI收割
ADVANCED MATERIALS, 2016, 卷号: 28, 期号: 37
作者:
Wang, JL
;
Yao, Q
;
Huang, CW
;
Zou, XM
;
Liao, L
收藏
  |  
Effect of sintering temperature on microstructure and electrical properties of Mn1.2Co1.5Ni0.3O4 ceramic materials using nanoparticles by reverse microemulsion method
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 卷号: 27, 期号: 2
作者:
Chen, L
;
Kong, WW
;
Yao, JC
;
Gao, B
;
Zhang, QN
收藏
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Formation of Mn-Co-Ni-O Nanoceramic Microspheres Using In Situ Ink-Jet Printing: Sintering Process Effect on the Microstructure and Electrical Properties
期刊论文
OAI收割
SMALL, 2016, 卷号: 12, 期号: 36
作者:
Chen, L
;
Zhang, QN
;
Yao, JC
;
Wang, JH
;
Kong, WW
收藏
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