机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2010 [3]

学科主题

• 光电子学 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    发表日期：2010     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Role of Bi3+ ions for Er3+ ions efficient 1.54 mu m light emission in Er/Bi codoped SiO2 thin film prepared by sol-gel method 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 1760-1763 Zheng J (Zheng J.); Zuo YH (Zuo Y. H.); Zhang LZ (Zhang L. Z.); Wang W (Wang W.); Xue CL (Xue C. L.); Cheng BW (Cheng B. W.); Yu JZ (Yu J. Z.); Guo HQ (Guo H. Q.); Wang QM (Wang Q. M.) 收藏  |  浏览/下载：103/4  |  提交时间：2010/09/07 Photoluminescence  Energy transfer  Erbium  Bismuth   Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文  OAI收割 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Qiu YX (Qiu Y. X.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/12/12 InGaN  Dislocation  Metalorganic chemical vapor deposition  High resolution X-ray diffraction  Cathodoluminescence  MISFIT DISLOCATIONS  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP  EPILAYERS  GENERATION  ALLOYS  INN   Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：60/2  |  提交时间：2010/08/17 Gallium Nitride  Indium Gallium Nitride  Cathodeluminescence  X-ray Diffraction  Metal-Organic Chemical Vapor Deposition