机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2012 [4]

学科主题

• 光电子学 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    发表日期：2012     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 053104 Le LC (Le, L. C.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Wu LL (Wu, L. L.); Li L (Li, L.); Chen P (Chen, P.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Yang H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/04/02 Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48 Zhao DG (Zhao, D. G.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Le LC (Le, L. C.); Wu LL (Wu, L. L.); Li L (Li, L.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Jia QJ (Jia, Q. J.); Yang H (Yang, Hui) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/27 Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 085017 Wu LL (Wu, L. L.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Chen P (Chen, P.); Le LC (Le, L. C.); Li L (Li, L.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.); Zhang BS (Zhang, B. S.); Yang H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/04/02 Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 25, 页码: 252110, 252110 作者:  Le LC (Le, L. C.);  Zhao DG (Zhao, D. G.);  Jiang DS (Jiang, D. S.);  Zhang SM (Zhang, S. M.);  Yang H (Yang, H.)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/03/20