机构

• 微电子研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [3]
• 会议论文 [2]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2018 [3]
• 2017 [1]
• 2016 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 专利  OAI收割 专利号: CN201721854675.8, 申请日期: 2018-10-19, 作者:  刘海南;  卜建辉;  陆江;  蔡小五;  罗家俊   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/01 一种绝缘栅双极晶体管 专利  OAI收割 专利号: CN201721830403.4, 申请日期: 2018-07-17, 作者:  陆江;  刘海南;  蔡小五;  卜建辉;  罗家俊   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/03/01 一种霍尔基片结构及霍尔传感器 专利  OAI收割 专利号: CN201721830326.2, 申请日期: 2018-07-17, 作者:  陆江;  刘海南;  卜建辉;  张国欢;  罗家俊   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/03/01 Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance 期刊论文  OAI收割 Chin. Phys. B, 2017 作者:  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊);  Lu J(陆江);  Yu QQ(喻巧群);  Liu HN(刘海南)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2018/05/16 Study Of RBSOA Reliability Of Nanoscale Partially Narrow Mesa IGBT (PNM-IGBT) 会议论文  OAI收割 作者:  Lu J(陆江);  Liu HN(刘海南);  Luo JJ(罗家俊);  Wang LX(王立新);  Zhang GH(张国欢)   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/05/19 Improved Single-Event Hardness of Trench Power MOSFET with a Widened Split Gate 会议论文  OAI收割 作者:  Wang LX(王立新);  Han ZS(韩郑生);  Zhang GH(张国欢);  Li BH(李彬鸿);  Li B(李博)   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/19