中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
微电子研究所 [147]
采集方式
OAI收割 [147]
内容类型
专利 [147]
发表日期
2018 [6]
2017 [5]
2016 [6]
2015 [8]
2014 [10]
2013 [18]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共147条,第1-10条
帮助
限定条件
内容类型:专利
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201510580584.9, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2015-11-25
作者:
叶甜春
;
霍宗亮
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/03/12
三维半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201510680212.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-24
作者:
叶甜春
;
霍宗亮
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/03/12
三维半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201510885268.2, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-04-06
作者:
叶甜春
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/03/12
存储器错误检测方法及装置
专利
OAI收割
专利号: CN201510729616.7, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2016-02-03
作者:
叶甜春
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/03/12
半导体器件制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201510514552.9, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2016-01-06
作者:
叶甜春
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/03/12
三维半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201510713805.5, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2016-01-20
作者:
叶甜春
;
霍宗亮
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/03/12
半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201210333081.8, 申请日期: 2017-06-16, 公开日期: 2014-03-26
作者:
钟汇才
;
朱慧珑
;
梁擎擎
;
叶甜春
;
尹海洲
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2018/04/10
一种振动能量采集器及其形成方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310552855.0, 申请日期: 2017-05-24, 公开日期: 2015-05-20
作者:
李志刚
;
欧毅
;
欧文
;
陈大鹏
;
叶甜春
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2018/02/01
一种半导体结构及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310282657.7, 申请日期: 2017-05-24, 公开日期: 2015-01-14
作者:
叶甜春
;
梁擎擎
;
钟汇才
;
朱慧珑
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2018/04/10
测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310286669.7, 申请日期: 2017-02-08, 公开日期: 2015-01-14
作者:
梁擎擎
;
钟汇才
;
朱慧珑
;
叶甜春
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2018/04/02