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• 半导体研究所 [14]

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• OAI收割 [14]

内容类型

• 期刊论文 [12]
• 专利 [2]

发表日期

• 2013 [1]
• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2007 [2]
• 2006 [2]
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学科主题

• 半导体物理 [14]

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Single InAs Quantum Dot Grown at the Junction of Branched Gold-Free GaAs Nanowire 期刊论文  OAI收割 nano letters, NANO LETTERS, 2013, 2013, 卷号: 13, 13, 期号: 4, 页码: 1399-1404, 1399-1404 作者:  Yu, Ying;  Li, Mi-Feng;  He, Ji-Fang;  Ni, Hai-Qiao;  Niu, Zhi-Chuan   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/17 Study of metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser materials grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 optoelectronics letters, Optoelectronics Letters, 2011, 2011, 卷号: 7, 7, 期号: 5, 页码: 325-329, 325-329 作者:  Zhu, Yan;  Ni, Hai-qiao;  Wang, Hai-li;  He, Ji-fang;  Li, Mi-feng   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/06/14 Epitaxial growth  Gallium arsenide  Growth(materials)  Molecular beam epitaxy  Semiconducting gallium  Semiconducting indium  Semiconductor quantum wells  Epitaxial Growth  Gallium Arsenide  Growth(Materials)  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Gallium  Semiconducting Indium  Semiconductor Quantum Wells   Direct observation of excitonic polaron in InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 epl, EPL, 2010, 2010, 卷号: 90, 90, 期号: 3, 页码: art. no. 37004, Art. No. 37004 作者:  Gong M (Gong Ming);  Chen G (Chen Geng);  He LX (He Lixin);  Li CF (Li Chuan-Feng);  Tang JS (Tang Jian-Shun)   |  收藏  |  浏览/下载：122/3  |  提交时间：2010/07/18 PHONON COUPLING REGIME  Phonon Coupling Regime   可用于弱光探测器的量子线研究进展 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2009, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 11-15 作者:  韩勤;  贺继方;  杨晓红;  牛智川 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 Fabrication of ultra-low density and long-wavelength emission InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 751-754 Huang, SS (Huang, Shesong); Niu, ZC (Niu, Zhichuan); Ni, HQ (Ni, Haiqiao); Xiong, YH (Xiong, Yonghua); Zhan, F (Zhan, Feng); Fang, ZD (Fang, Zhidan); Xia, JB (Xia, Jianbai) 收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2010/03/29 long wavelength   Optimization of GaInNAs(Sb)/GaAs quantum wells at 1.3-1.55 mu m grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 125-128 Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.); Fang, ZD (Fang, Z. D.); Huang, SS (Huang, S. S.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Wu, DH (Wu, D. H.); Shun, Z (Shun, Z.); Han, Q (Han, Q.); Wu, RH (Wu, R. H.) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/29 quantum wells   1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488 作者:  Wu Donghai;  Han Qin;  Peng Hongling;  Niu Zhichuan 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Complex quantum ring structures formed by droplet epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.031921 Huang SS (Huang Shesong); Niu ZC (Niu Zhichuan); Fang ZD (Fang Zhidan); Ni HQ (Ni Haiqiao); Gong Z (Gong Zheng); Xia JB (Xia Jianbai) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE  DOTS   The fabrication of self-aligned InAs nanostructures on GaAs(331)A substrates 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 29-35 Gong Z; Fang ZD; Xu XH; Miao ZH; Ni HQ; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：147/48  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Effect of the InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer on 1.3 mu m emission self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 1012-1016 Fang, ZD; Gong, Z; Miao, ZH; Kong, LM; Xu, XH; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：149/47  |  提交时间：2010/03/09 PHOTOLUMINESCENCE