中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2013 [2]
2003 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
The Valence Band Offset of an Al0.17Ga0.83NGaN Heterojunction Determined by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 7101
WAN Xiao-Jia, WANG Xiao-Liang, XIAO Hong-Ling, WANG Cui-Mei, FENG Chun, DENG Qing-Wen, QU Shen-Qi, ZHANG Jing-Wen3, HOU Xun, CAI Shu-Jun, FENG Zhi-Hong
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2014/03/18
Investigation of the current collapse induced in InGaN back barrier AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 10, 页码: 104002
Xiaojia, Wan
;
Xiaoliang, Wang
;
Hongling, Xiao
;
Chun, Feng
;
Lijuan, Jiang
;
Shenqi, Qu
;
Zhanguo, Wang
;
Xun, Hou
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2014/05/16
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:291/4
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS