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半导体研究所 [12]
采集方式
OAI收割 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2015 [1]
2012 [1]
2009 [2]
2007 [2]
2006 [5]
2004 [1]
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学科主题
半导体材料 [12]
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共12条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Study on the response of InAs nanowire transistors to H2O and NO2
期刊论文
OAI收割
sensors and actuators b-chemical volume, 2015, 卷号: 209, 页码: 456–461
Xintong Zhang
;
Mengqi Fu
;
Xing Li
;
Tuanwei Shi
;
Zhiyuan Ning
;
Xiaoye Wang
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提交时间:2016/03/22
Purification of metallurgical silicon through directional solidification in a large cold crucible
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 355, 期号: 1, 页码: 145-150
Liu T (Liu, Tong)
;
Dong ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Zhao YW (Zhao, Youwen)
;
Wang J (Wang, Jun)
;
Chen T (Chen, Teng)
;
Xie H (Xie, Hui)
;
Li J (Li, Jian)
;
Ni HJ (Ni, Haijiang)
;
Huo DX (Huo, Dianxin)
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提交时间:2013/03/27
Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30
作者:
Ke Jianhong
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提交时间:2010/11/23
Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33
作者:
Ke Jianhong
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提交时间:2010/11/23
物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 204-208
作者:
魏学成
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提交时间:2010/11/23
气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 869-872
作者:
魏学成
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提交时间:2010/11/23
升华法生长AlN体单晶初探
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 1241-1245
作者:
魏学成
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提交时间:2010/11/23
ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1759-1762
作者:
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提交时间:2010/11/23
化学气相传输法生长ZnO单晶
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 336-339
作者:
魏学成
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提交时间:2010/11/23
半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 524-529
赵有文
;
董志远
;
李成基
;
段满龙
;
孙文荣
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提交时间:2010/11/23