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机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
学位论文 [1]
发表日期
2018 [3]
2017 [1]
2016 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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专题:半导体研究所
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第一作者单位
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面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
白永彪
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2018/06/01
Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal
期刊论文
OAI收割
Materials Science in Semiconductor Processing, 2018, 卷号: 84, 页码: 115-118
作者:
Guiying Shen
;
Youwen Zhao
;
Yongbiao Bai
;
Ding Yu
;
Jingming Liu
;
Hui Xie
;
Zhiyuan Dong
;
Jun Yang
;
Fengyun Yang
;
Fenghua Wang
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/11/15
LVM Spectroscopy Investigation of Complex Defects in InAs Single Crystals Grown by the LEC Method
期刊论文
OAI收割
Journal of Electronic Materials, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 4998-5001
作者:
Guiying Shen
;
Youwen Zhao
;
Jingming Liu
;
Yongbiao Bai
;
Zhiyuan Dong
;
Hui Xie
;
Xiaoyu Chen
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/11/15
Enhancement of below gap transmission of InAs single crystal via suppression of native defects
期刊论文
OAI收割
Materials Research Express, 2017, 卷号: 4, 期号: 3, 页码: 036203
作者:
Guiying Shen
;
Youwen Zhao
;
Zhiyuan Dong
;
Jingming Liu
;
Hui Xie
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/05/23
Carbon agent chemical vapor transport growth of Ga2O3 crystal
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, 2016, 卷号: 37, 期号: 10, 页码: 103004
Su Jie
;
Liu Tong
;
Liu Jingming
;
Yang Jun
;
Shen Guiying
;
Bai Yongbiao
;
Dong Zhiyuan
;
Zhao Youwen
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/10