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机构
半导体研究所 [4]
大连化学物理研究所 [1]
中国科学院大学 [1]
采集方式
iSwitch采集 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2019 [1]
2010 [1]
2008 [4]
学科主题
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共6条,第1-6条
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Dynamical transformation of two-dimensional perovskites with alternating cations in the interlayer space for high-performance photovoltaics
期刊论文
iSwitch采集
Journal of the american chemical society, 2019, 卷号: 141, 期号: 6, 页码: 2684-2694
作者:
Zhang, Yalan
;
Wang, Peijun
;
Tang, Ming-Chun
;
Barrit, Dounya
;
Ke, Weijun
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提交时间:2019/05/08
Performance of criteria for selecting evolutionary models in phylogenetics: a comprehensive study based on simulated datasets
期刊论文
iSwitch采集
Bmc evolutionary biology, 2010, 卷号: 10, 页码: 13
作者:
Luo, Arong
;
Qiao, Huijie
;
Zhang, Yanzhou
;
Shi, Weifeng
;
Ho, Simon Y. W.
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/10
Influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer on si(111) by mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713
作者:
Luo, Weijun
;
Wang, Xiaoliang
;
Guo, Lunchun
;
Mao, Hongling
;
Wang, Cuimei
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Si(111)
Crack
Aln
Mocvd
Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
作者:
Luo, Weijun
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimie
;
Ran, Junxue
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提交时间:2019/05/12
Algan/gan
High electron mobility transistor (hemt)
Si (111)
The effect of low temperature aln interlayers on the growth of gan epilayer on si (111) by mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159
作者:
Luo, Weijun
;
Wang, Xiaoliang
;
Guo, Lunchun
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Gallium nitride crack
Low temperature aluminum nitride
Interlayer
Silicon
The influence of 1 nm aln interlayer on properties of the al0.3ga0.7n/aln/gan hemt structure
期刊论文
iSwitch采集
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781
作者:
Guo, Lunchun
;
Wang, Xiaoliang
;
Wang, Cuimei
;
Mao, Hongling
;
Ran, Junxue
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提交时间:2019/05/12
Gan
Hemt
2deg
Mobility
Polarization