机构

• 微电子研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 外文期刊 [7]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2007 [2]
• 2004 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Luo, WJ;  Liu, XY;  Zheng, YK;  Liu, GG;  Zhang, H   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26 Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiOx(x=1 or 2) 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Li, WL;  Jia, R;  Chen, C;  Wu, NJ;  Tamotsu, H   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Microcrystalline Silicon  Raman-spectra  Memory  Films   Buffer influence on AlSb/InAs/AlSb quantum wells 外文期刊  OAI收割 2007 作者:  Li, ZH;  Wang, WX;  Liu, LS;  Gao, HC;  Jiang, ZW   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 X-ray-diffraction  Inas  Alsb  Heterostructures  Relaxation  Densities  Devices   Quasi-SOI MOSFETs - A promising bulk device candidate for extremely scaled era 外文期刊  OAI收割 2007 作者:  Tian, Y;  Xiao, H;  Huang, R;  Feng, C;  Chan, M   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 Cmos Devices   Characterization of 1.9-and 1.4-nm ultrathin gate oxynitride by oxidation of nitrogen-implanted silicon substrate 外文期刊  OAI收割 2004 作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Han, ZS;  Lin, G;  Liu, M   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26 Remote Plasma Nitridation  Oxide  Growth  No   The reactive ion etching of Bi2Ti2O7 thin films on silicon substrates and its image in atomic force microscopy 外文期刊  OAI收割 2002 作者:  Wang, Z;  Sun, DL;  Hu, JF;  Cui, DL;  Xu, XH   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊  OAI收割 2001 作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Yin, HX;  Jia, L;  Ji, HH   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 p+-polysilicon Gate  Ge Preamorphization  Thin-films  Oxides  Transformation  Suppression  Resistance  Extension  Salicide  Mosfet