中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2015 [1]
2013 [1]
2010 [2]
2006 [1]
学科主题
光电子学 [5]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Investigations of wettability of graphene on a micron-scale hole array substrate
期刊论文
OAI收割
rsc advances, RSC Advances, 2015, 2015, 卷号: 6, 6, 期号: 3, 页码: 1999-2003, 1999-2003
作者:
Yun Zhao
;
Gang Wang
;
Wenbin Huang
;
Xiaokun Fan
;
Ya Deng
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2016/04/15
Oxygen pressure manipulations on the metal-insulator transition characteristics of highly (0 1 1)-oriented vanadium dioxide films grown by magnetron sputtering
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2013, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 055310
Yu, Qian
;
Li, Wenwu
;
Liang, Jiran
;
Duan, Zhihua
;
Hu, Zhigao
;
Liu, Jian
;
Chen, Hongda
;
Chu, Junhao
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/10/08
Room-Temperature Continuous-Wave Operation of InGaN-Based Blue-Violet Laser Diodes with a Lifetime of 15.6 Hours
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: art. no. 114215
Zeng C (Zeng Chang)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Ji L (Ji Lian)
;
Wang HB (Wang Huai-Bing)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Cao Q (Cao Qing)
;
Chong M (Chong Ming)
;
Duan LH (Duan Li-Hong)
;
Wang H (Wang Hai)
;
Shi YS (Shi Yong-Sheng)
;
Liu SY (Liu Su-Ying)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/12/05
Fabrication and Characterization of High Power InGaN Blue-Violet Lasers with an Array Structure
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 054204
Ji L (Ji Lian)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang LQ (Zhang Li-Qun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Duan LH (Duan Li-Hong)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
  |  
浏览/下载:108/5
  |  
提交时间:2010/05/24
DIODES
Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
Wang JF (Wang Jian-Feng)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
;
Zhang JC (Zhang Ji-Cai)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yao DZ (Yao Duan-Zheng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
ALN BUFFER LAYER
NUCLEATION LAYER
PHASE EPITAXY
EVOLUTION
DENSITY
SILICON
STRESS
SI