机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]
• 2006 [3]

学科主题

• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Surface Plasmon Enhanced Hot Exciton Emission in Deep UV-Emitting AlGaN Multiple Quantum 期刊论文  OAI收割 advanced optical materials, 2015, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 451-458 Jun Yin; Yang Li; Shengchang Chen; Changqing Chen; Jing Li; Junyong Kang; Wei Li; Peng Jin; Yonghai Chen; Zhihao Wu; Jiangnan Dai; Yanyan Fang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/29 Defect influence on luminescence efficiency of gan-based leds 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 371-374 作者:  Li, Shuping;  Fang, Zhilai;  Chen, Hangyang;  Li, Jinchai;  Chen, Xiaohong 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Defects  Gan  Luminescence efficiency  Led   Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 371-374 Li SP (Li Shuping); Fang ZL (Fang Zhilai); Chen HY (Chen Hangyang); Li JC (Li Jinchai); Chen XH (Chen Xiaohong); Yuan XL (Yuan Xiaoli); Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi); Wang QM (Wang Qiming); Kang JY (Kang Junyong) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 defects  GaN  luminescence efficiency  LED   Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs 会议论文  OAI收割 11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005 Li SP (Li Shuping); Fang ZL (Fang Zhilai); Chen HY (Chen Hangyang); Li JC (Li Jinchai); Chen XH (Chen Xiaohong); Yuan XL (Yuan Xiaoli); Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi); Wang QM (Wang Qiming); Kang JY (Kang Junyong) 收藏  |  浏览/下载：470/18  |  提交时间：2010/03/29 defects