机构

• 半导体研究所 [5]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2003 [2]
• 2002 [2]
• 2001 [1]
• 1992 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Design of high brightness cubic-gan leds grown on gaas substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 页码: S753-s756 作者:  Sun, YP;  Shen, XM;  Zhang, ZH;  Zhao, DG;  Feng, ZH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Wafer bunding  Cubic gan   Optimization of cubic gan growth by metalorganic chemical vapor deposition based on residual strain relaxation 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 2, 页码: 206-208 作者:  Feng, ZH;  Yang, H;  Zheng, XH;  Fu, Y;  Sun, YP 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Crystallographic tilt in gan layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Feng, G;  Zheng, XH;  Zhu, JJ;  Shen, XM;  Zhang, BS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Epitaxial lateral overgrowth  Crystallographic tilt  Double crystal x-ray diffraction   Thermal annealing behaviour of ni/au on n-gan schottky contacts 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Sun, YP;  Shen, XM;  Wang, J;  Zhao, DG;  Feng, G 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Epitaxial lateral overgrowth of cubic gan by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 225, 期号: 1, 页码: 45-49 作者:  Fu, Y;  Yang, H;  Zhao, DG;  Zheng, XH;  Li, SF 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Sem  Epitaxial lateral overgrowth  Metalorganic chemical vapor deposition  Cubic gan   Electroweak parameters of the z0 resonance and the standard model 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters b, 1992, 卷号: 276, 期号: 1-2, 页码: 247-253 作者:  DECAMP, D;  Deschizeaux, B;  Goy, C;  Lees, JP;  Minard, MN 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2019/04/23