机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2003 [2]
• 2002 [1]
• 1994 [1]
• 1993 [1]

学科主题

• 半导体物理 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Optimization of cubic GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition based on residual strain relaxation 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 2, 页码: 206-208 Feng ZH; Yang H; Zheng XH; Fu Y; Sun YP; Shen XM; Wang YT 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL-GROWTH  FILMS  GAAS   Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s753-s756 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 wafer bunding  cubic GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  MIRROR  JUNCTION   Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 RESISTANCE OHMIC CONTACTS  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  STABILITY  BARRIER  DIODES   BAND-STRUCTURE OF MG1-XZNXSYSE1-Y 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 1994, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 349-355 TEO KL; FENG YP; LI MF; CHONG TC; XIA JB 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 QUANTUM-WELL STRUCTURES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON CORRELATION  GAAS SUBSTRATE  SEMICONDUCTORS  ZNSE  ZNMGSSE  GROWTH  MASSES  GAP   EMPIRICAL PSEUDOPOTENTIAL BAND-STRUCTURE CALCULATION FOR ZN1-XCDXSYSE1-Y QUATERNARY ALLOY 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 6, 页码: 3948-3955 FENG YP; TEO KL; LI MF; POON HC; ONG CK; XIA JB 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/15 SEMICONDUCTORS  SUPERLATTICES  CONSTANT  SYSTEMS  LASERS