机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2006 [1]
• 1997 [2]
• 1996 [3]
• 1990 [1]

学科主题

• 半导体材料 [7]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Q-switched and mode-locked diode-pumped Nd : GdVO4 laser with low temperature GaAs saturable absorber 期刊论文  OAI收割 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 8-9, 页码: 970-973 Liu J; Wang YG; Tian WM; Gao LY; He JL; Ma XY 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 LT-GaAs  Nd : GdVO4  diode-pump laser  mode-locking  Q-switching  ND-YVO4 LASER  LOCKING  MIRROR  YAG   Stoichiometric defects in semi-insulating GaAs 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 173, 期号: 0, 页码: 325-329 Chen NF; He HJ; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Properties of GaAs single crystals grown by molecular beam epitaxy at low temperatures 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1997, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 214-218 Chen NF; He HJ; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 low temperature  molecular beam epitaxy  GaAs single crystal  lattice parameter  arsenic interstitial couples  arsenic precipitates  effects of backgating or sidegating  LAYERS  DEPENDENCE   Excess arsenic in GaAs grown at low temperatures by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 10a, 页码: l1238-l1240 Chen NF; Wang YT; He HJ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 gallium arsenide  low temperature  As interstitials  As interstitial couples  molecular beam epitaxy  X-ray rocking curve  lattice parameter  GALLIUM-ARSENIDE  LAYERS  DEPENDENCE   Nondestructive measurements of stoichiometry in undoped semi-insulating gallium arsenide by x-ray bond method 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1996, 卷号: 69, 期号: 25, 页码: 3890-3892 Chen NF; Wang YT; He HJ; Wang ZG; Lin LY; Oda O 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS   Dislocations and precipitates in semi-insulating gallium arsenide revealed by ultrasonic Abrahams-Buiocchi etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1996, 卷号: 167, 期号: 0, 页码: 766-768 Chen NF; He HJ; Wang YT; Pan K; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS   INFLUENCE OF IN CONTENT ON DEFECTS OF LPE GAAS EPILAYERS 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1990, 卷号: 103, 期号: 0, 页码: 371-379 YANG BH; WANG ZG; HE HJ; LIN LY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15