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半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2017 [2]
2016 [1]
2011 [1]
2010 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2017, 卷号: 460, 页码: 1-4
作者:
Xiaoye Wang
;
Wenyuan Yang
;
Baojun Wang
;
Xianghai Ji
;
Shengyong Xu
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/05/30
Switching from Negative to Positive Photoconductivity toward Intrinsic Photoelectric Response in InAs Nanowire
期刊论文
OAI收割
ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 页码: 2867−2874
作者:
Yuxiang Han
;
Mengqi Fu
;
Zhiqiang Tang
;
Xiao Zheng
;
Xianghai Ji
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/05/23
Hidden quantum mirage by negative refraction in semiconductor P-N junctions
期刊论文
OAI收割
physical review b, 2016, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 085408
Shu-Hui Zhang
;
Jia-Ji Zhu
;
Wen Yang
;
Hai-Qing Lin
;
Kai Chang
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/10
An InP-Based Dual-Depletion-Region Electroabsorption Modulator with Low Capacitance and Predicted High Bandwidth
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 114207
Shao YB (Shao Yong-Bo)
;
Zhao LJ (Zhao Ling-Juan)
;
Yu HY (Yu Hong-Yan)
;
Qiu JF (Qiu Ji-Fang)
;
Qiu YP (Qiu Ying-Ping)
;
Pan JQ (Pan Jiao-Qing)
;
Wang BJ (Wang Bao-Jun)
;
Zhu HL (Zhu Hong-Liang)
;
Wang W (Wang Wei)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/02/21
Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Wang XD (Wang Xiao-Dong)
;
Wang Q (Wang Qing)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
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浏览/下载:220/51
  |  
提交时间:2010/05/24
excited states
gallium arsenide
III-V semiconductors
indium compounds
laser tuning
optical films
quantum dot lasers
silicon compounds
tantalum compounds
TEMPERATURE-DEPENDENCE
THRESHOLD
PERFORMANCE
GAIN