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• 苏州纳米技术与纳米... [19]
• 上海应用物理研究所 [2]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [22]

内容类型

• 期刊论文 [21]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2016 [22]

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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2016     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 213, 期号: 8 作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11 Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 96 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4 作者:  Li, X;  Liu, ZS;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文  OAI收割 VACUUM, 2016, 卷号: 129 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662 作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11 Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2016, 卷号: 24, 期号: 13 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/11