中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [28]
采集方式
OAI收割 [28]
内容类型
期刊论文 [27]
会议论文 [1]
发表日期
2014 [3]
2012 [4]
2011 [6]
2010 [3]
2008 [1]
2006 [2]
更多
学科主题
半导体材料 [28]
筛选
浏览/检索结果:
共28条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
The magnetic field effect on optical properties of Sm-doped GaN thin films
期刊论文
OAI收割
journal of materials science-materials in electronics, 2014, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2974-2978
Sun, P
;
Li, YC
;
Meng, XQ
;
Yu, S
;
Liu, YH
;
Liu, FQ
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Evidence of Type-II Band Alignment in III-nitride Semiconductors: Experimental and theoretical investigation for In0.17Al0.83N/GaN heterostructures
期刊论文
OAI收割
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6521
Wang, JM
;
Xu, FJ
;
Zhang, X
;
An, W
;
Li, XZ
;
Song, J
;
Ge, WK
;
Tian, GS
;
Lu, J
;
Wang, XQ
;
Tang, N
;
Yang, ZJ
;
Li, W
;
Wang, WY
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Shen, B
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2015/03/20
The magnetic field effect on optical properties of Sm-doped GaN thin films
期刊论文
OAI收割
journal of materials science-materials in electronics, 2014, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2974-2978
Sun, P
;
Li, YC
;
Meng, XQ
;
Yu, S
;
Liu, YH
;
Liu, FQ
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by self-patterned nanoscale epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 10-14
Li, ZW
;
Wei, HY
;
Xu, XQ
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Experimental investigation of wavelength-selective optical feedback for a high-power quantum dot superluminescent device with two-section structure
期刊论文
OAI收割
optics express, 2012, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 11936-11943
Li, XK
;
Jin, P
;
An, Q
;
Wang, ZC
;
Lv, XQ
;
Wei, H
;
Wu, J
;
Wu, J
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by self-patterned nanoscale epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 10-14
Li, ZW
;
Wei, HY
;
Xu, XQ
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Improved Continuous-Wave Performance of Two-Section Quantum-Dot Superluminescent Diodes by Using Epi-Down Mounting Process
期刊论文
OAI收割
ieee photonics technology letters, 2012, 卷号: 24, 期号: 14, 页码: 1188-1190
Li, XK
;
Jin, P
;
An, Q
;
Wang, ZC
;
Lv, XQ
;
Wei, H
;
Wu, J
;
Wu, J
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
收藏
  |  
浏览/下载:65/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:
Shi K
;
Jiao CM
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:92/7
  |  
提交时间:2011/07/05
Valence band offset
GaN/diamond heterojunction
XPS
Conduction band offset
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ALGAN/GAN HEMTS
DIAMOND
GAN
FILMS
High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section
期刊论文
OAI收割
electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191-
Wang, ZC
;
Jin, P
;
Lv, XQ
;
Li, XK
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPECTRUM