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• 半导体研究所 [82]

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内容类型

• 期刊论文 [56]
• 会议论文 [26]

发表日期

• 2014 [1]
• 2012 [1]
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浏览/检索结果: 共82条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Interfacial electronic structure-modulated magnetic anisotropy in Ta/CoFeB/MgO/Ta multilayers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 105, 105, 期号: 9, 页码: 092402, 092402 作者:  Chen, X;  Wang, KY;  Wu, ZL;  Jiang, SL;  Yang, G   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/03/25 Design and fabrication of SiO2/Si3N4 dielectric distributed Bragg reflectors for ultraviolet optoelectronic applications 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 2012, 卷号: 61, 61, 期号: 8, 页码: 87802, 87802 作者:  Li, ZC;  Liu, B;  Zhang, R;  Zhang, Z;  Tao, T   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/17 Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：32/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143 Liu B; Zhang Z; Zhang R; Fu DY; Xie ZL; Lu H; Schaff WJ; Song LH; Cui YC; Hua XM; Han P; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：196/52  |  提交时间：2010/04/28 BAND-GAP  TEMPERATURE-DEPENDENCE  ENERGY  SEMICONDUCTORS  SPECTRA  EPITAXY  GROWTH  LAYERS   Mechanism on Effect of Surface Plasmons Coupling with InGaN/GaN Quantum Wells: Enhancement and Suppression of Photoluminescence Intensity 期刊论文  OAI收割 applied physics express, 2010, 卷号: 3, 期号: 7, 页码: art. no. 072001 Huang ZL (Huang Zengli); Wang JF (Wang Jianfeng); Liu ZH (Liu Zhenghui); Xu K (Xu Ke); Yang H (Yang Hui); Cao B (Cao Bing); Han Q (Han Qin); Zhang GJ (Zhang Guiju); Wang CH (Wang Chinhua) 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/17 LIGHT-EMITTING-DIODES   Growth behavior of AlInGaN films 会议论文  OAI收割 4th asian conference on crystal growth and crystal technology, sendai, japan, may 21-24, 2008 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/09 Scanning electron microscope   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   Design and Fabrication of AlGaN-Based Resonant-Cavity-Enhanced p-i-n UV PDs 期刊论文  OAI收割 ieee journal of quantum electronics, 2009, 卷号: 45, 期号: 5-6, 页码: 575-578 作者:  Ji XL 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN  distributed Bragg reflector (DBR)  resonant-cavity-enhanced (RCE)  transfer-matrix-approach (TMA)  ultraviolet (UV) photodetector (PD)   Growth behavior of AlInGaN films 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：216/66  |  提交时间：2010/03/08 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  AlInGaN